自爆的主要原因：NiS晶體(>0.06mm)變相后體積增大，導(dǎo)致局部應(yīng)力平衡破壞；

自爆的的不可預(yù)知性：現(xiàn)有浮法玻璃生產(chǎn)線僅能檢測(cè)出>0.2mm的雜質(zhì)粒，因此無(wú)法檢測(cè)出NiS的存在；

自爆概率：目前尚無(wú)任何標(biāo)準(zhǔn)明確給出數(shù)值，根據(jù)統(tǒng)計(jì)每四噸玻璃存在一粒NiS，按厚度6mm面積1m2計(jì)相當(dāng)于0.3%, 國(guó)際行業(yè)一般認(rèn)同0.3-0.8%，與玻璃尺寸有關(guān)

關(guān)于自爆率的標(biāo)準(zhǔn)值：國(guó)內(nèi)外目前無(wú)標(biāo)準(zhǔn)值。

降低自爆的措施：

    采用半鋼化玻璃

    采用超白玻璃

    采用熱浸處理

    采用優(yōu)質(zhì)浮法玻璃